В этих транзисторах, относящихся к конструкции FinFET, кремниевое тело, в котором находятся исток и сток, выполнено в форме вертикально расположенного «плавника» (fin). «Плавник» обернут тройным затвором, каждая сторона которого управляет током в «своей»

Для компенсации токов утечки и обеспечения устойчивой работы процессоров на высоких тактовых частотах производителям приходится увеличивать напряжение питания ядер процессоров, что, в свою очередь, ведет к росту потребления электроэнергии в компьютерных системах. Таким

На высоких частотах в чипах малых топологических размеров возникают неконтролируемые токи, обусловленные, в частности, тем, что проводники, соединяющие активные элементы, обладают заметными взаимной емкостью и индуктивностью, величина которых, в свою очередь, зависит и

Во-вторых, физические размеры отдельных элементов приблизились к размерам атомов. Так, компанией «Intel» планировалось довести толщину оксидных полупроводниковых электродов в своих изделиях всего лишь до 3 атомов (уже в 2005 г. она составляла 1,2

Переход к новой платформе процессоров происходит по мере освоения производства чипов с новым, уменьшенным топологическим размером схем (этап tock), причем время задержки имеет тенденцию к уменьшению. Так, если лаг между переходом на производство

В последние 20 лет прогресс в области миниатюризации и повышения производительности микроэлектронных устройств и компонентов ЭВМ идет значительно быстрее, чем предполагалось даже в конце 1980-х — начале 1990-х годов. С 1995 по 2009