This is default featured slide 1 title
This is default featured slide 2 title
This is default featured slide 3 title
This is default featured slide 4 title
This is default featured slide 5 title

Нанотехнологическая продукция ч2

02b36895e8b63c48ef8eceabc799673308

Это униполярный квантовый каскадный лазер, основанный на идее, предложенной Р.Ф. Казариновым и Р.А. С’урнсом, н униполярный фонтанный лазер с межподзонной оптической накачкой. Изготовление каскадного лазера требует использования весьма сложной технологии, а необходимость мошной

Нанотехнологическая продукция

01nano-650x433

Как уже отмечалось, существуют трудности в определении того, что является нанотехнологической продукцией. В различных источниках информации рассматриваются либо мировой рынок конечной нанотехнологической продукции, оцениваемый в несколько миллиардов долларов, либо рынок продукции, произведенной с

Наноструктуры на основе SiGe/Si ч4

04nanotechnology-cen

Структуры, полученные таким путем, характеризуются высокой эффективностью люминесценции, что связано, в частности, со значительным уровнем оптически активных эрбиевых центров. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур JnGaAsP/InP, излучающие и диапазонах длин волн 1,3 и 1,55

Наноструктуры на основе SiGe/Si ч3

03003_138

В этой связи разрабатываются механизмы эпитаксиального роста на так называемых податливых подложках, в качестве которых используются, в частности, мористый кремний, буферные слои, выращенные при низких температурах. Число успешных практических попыток реализации роста на

Наноструктуры на основе SiGe/Si ч2

026f8df1ee44bd8b385c3147d079d233b8

Упругие деформации в эпитаксиальной пленке и островках на ее поверхности являются ключевым фактором как в морфологическом переходе от послоевого эпитаксиального роста к росту ост-ровков (механизм Странски-Крастапова), гак и в последующих изменениях размеров, формы

Наноструктуры на основе SiGe/Si

01nanofisics_body

Возросший интерес к наноструктурам на основе кремния, содержащим Ge- и SiGe-наноостровки (квантовые точки), объясняется обнаружениием у них новых фоточувствительных и светоизлучающих свойств. В частности, твердые растворы SiGe представляются перспективными материалами для создания фотоприемников,