This is default featured slide 1 title
This is default featured slide 2 title
This is default featured slide 3 title
This is default featured slide 4 title
This is default featured slide 5 title

Различие прогнозных оценок ведущих консалтинговых компаний ч2

02chubays-i-nanotehnologii-e1437863390231

Следует отметить, что первые прогнозы каждой компании были более оптимистическими относительно перспектив нанотехнологии по сравнению с последующими (например, прогнозы «ВСС Research» за 2004 и 2008 гг.). В прогнозе «Lux Research Inc.», разработанном в

Различие прогнозных оценок ведущих консалтинговых компаний

01image_3

Для лучшего понимания того, как изменялись представления о будущем развитии нанотехнологии, целесообразно рассмотреть прогнозные оценки различных консалтинговых компаний, выполненные до и после начала финансового кризиса (табл. 6.10), Первые прогнозы развития нанотехнологии разрабатывались в

Нанотехнологическая продукция ч3

03nanotechnology-650x406

Теоретически исследуются механизмы инверсии населенностей во внешнем электрическом поле мелких примесных состояний в подобных структурах. пассивные наноструктуры (2000-2005 гг.) — производство продуктов, использующих уникальные преимущества и свойства наноматериалов (наноматериалы при этом пока еще

Нанотехнологическая продукция ч2

02b36895e8b63c48ef8eceabc799673308

Это униполярный квантовый каскадный лазер, основанный на идее, предложенной Р.Ф. Казариновым и Р.А. С’урнсом, н униполярный фонтанный лазер с межподзонной оптической накачкой. Изготовление каскадного лазера требует использования весьма сложной технологии, а необходимость мошной

Нанотехнологическая продукция

01nano-650x433

Как уже отмечалось, существуют трудности в определении того, что является нанотехнологической продукцией. В различных источниках информации рассматриваются либо мировой рынок конечной нанотехнологической продукции, оцениваемый в несколько миллиардов долларов, либо рынок продукции, произведенной с

Наноструктуры на основе SiGe/Si ч4

04nanotechnology-cen

Структуры, полученные таким путем, характеризуются высокой эффективностью люминесценции, что связано, в частности, со значительным уровнем оптически активных эрбиевых центров. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур JnGaAsP/InP, излучающие и диапазонах длин волн 1,3 и 1,55