Наноструктуры на основе SiGe/Si ч4

04nanotechnology-cen

Структуры, полученные таким путем, характеризуются высокой эффективностью люминесценции, что связано, в частности, со значительным уровнем оптически активных эрбиевых центров. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур JnGaAsP/InP, излучающие и диапазонах длин волн 1,3 и 1,55 мкм, широко используются в качестве источников излучения в устройствах волоконно-оптических линий связи. Широкое внедрение их сдерживается отсутствием надежной н дешевой элементной базы источников излучения. Именно этим обстоятельством обусловлены попытки синтеза гетероструктур, альтернативных InGaAs/lnP, которые могли бы послужить основой источников излучения в диапазоне 1,3 мкм. Был предложен и реализован ряд идей по использованию квантовых ям InGaAsN с малым содержанием азота в активной области, внедрению квантовых точек In As в кремниевую матрицу и др. Использовалось также заращнвание слоя квантовых точек InAs тонким слоем твердого раствора InxGal-xAs, г.е, помещение InAs квантовых точек в InGaAs квантовую яму. В этом случае увеличение эффективной толщины осажденною слоя InAs, как и увеличение мольной доли InAs, х, в твердом растворе InxGal-xAs, приводит к увеличению длины волны излучения, которая может достигать 1,3 мкм.

Добавить комментарий